HGI170N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGI170N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGI170N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI170N10A даташит

 ..1. Size:957K  cn hunteck
 hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

HGI170N10A

HGD170N10A , P-1 HGI170N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 16.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 39 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

 0.1. Size:958K  cn hunteck
 hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

HGI170N10A

HGD170N10AL , P-1 HGI170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

Другие IGBT... HGD110N08AL, HGI110N08AL, HGD110N10SL, HGI110N10SL, HGD120N06SL, HGI120N06SL, HGD155N15S, HGD170N10A, IRFZ44, HGD170N10AL, HGI170N10AL, HGD190N15SL, HGD195N15S, HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML, HGD210N12SL