HGD210N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGD210N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
HGD210N12SL Datasheet (PDF)
hgd210n12sl.pdf

HGD210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rect
Другие MOSFET... HGI170N10A , HGD170N10AL , HGI170N10AL , HGD190N15SL , HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , AON6414A , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ240N03D | JMTQ240N03A | JMTQ240C03D | JMTQ230N04D | JMTQ220N04D | JMTQ200P03A | JMTQ190N03A | JMTQ170C04D | JMTQ160P03A | JMTQ130P04A | JMTQ130N04D | JMTQ120N04D | JMTQ120N03D | JMTQ120N03A | JMTQ120C03D | JMTQ11DP03A
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818