Справочник MOSFET. HGD290N10SL

 

HGD290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD290N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  cn hunteck
 hgd290n10sl hgi290n10sl.pdf pdf_icon

HGD290N10SL

HGD290N10SL , HGI290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness31 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification

Другие MOSFET... HGD195N15S , HGD195N15SL , HGD1K2N20ML , HGI1K2N20ML , HGD210N12SL , HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , IRFP250N , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL .

History: PSMNR70-30YLH | TSJ10N10AT | TSM2N60SCW | AM7933P | DMG6602S | OSG60R069HF

 

 
Back to Top

 


 
.