HGI290N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI290N10SL
Маркировка: GI290N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.5 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 62 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI290N10SL
HGI290N10SL Datasheet (PDF)
..1. Size:898K cn hunteck
hgd290n10sl hgi290n10sl.pdf
hgd290n10sl hgi290n10sl.pdf
HGD290N10SL , HGI290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness31 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
