HGI290N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGI290N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGI290N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGI290N10SL даташит

 ..1. Size:898K  cn hunteck
 hgd290n10sl hgi290n10sl.pdf pdf_icon

HGI290N10SL

HGD290N10SL , HGI290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 22 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 31 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification

Другие IGBT... HGD195N15SL, HGD1K2N20ML, HGI1K2N20ML, HGD210N12SL, HGD230N10A, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, 2N7000, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M