HGD480N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD480N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD480N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD480N15M даташит

 ..1. Size:932K  cn hunteck
 hgd480n15m hgi480n15m.pdf pdf_icon

HGD480N15M

HGD480N15M , HGI480N15M P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 41 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 28 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain

Другие IGBT... HGD230N10A, HGD230N10AL, HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, IRFP250N, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL