Справочник MOSFET. HGD480N15M

 

HGD480N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD480N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD480N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn hunteck
 hgd480n15m hgi480n15m.pdf pdf_icon

HGD480N15M

HGD480N15M , HGI480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level41RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability28 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MTB12N03Q8 | NVF2201N | RJK1529DPK | GSM3679S | WSR4N65F | BUK9Y12-55B | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.