Справочник MOSFET. HGD480N15M

 

HGD480N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD480N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD480N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD480N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn hunteck
 hgd480n15m hgi480n15m.pdf pdf_icon

HGD480N15M

HGD480N15M , HGI480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level41RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability28 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain

Другие MOSFET... HGD230N10A , HGD230N10AL , HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , AON7408 , HGI480N15M , HGD650N15S , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL , HGI080N08SL .

History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N | CM9N90PZ

 

 
Back to Top

 


 
.