HGI480N15M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI480N15M
Маркировка: GI480N15M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 57 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI480N15M
HGI480N15M Datasheet (PDF)
..1. Size:932K cn hunteck
hgd480n15m hgi480n15m.pdf
hgd480n15m hgi480n15m.pdf
HGD480N15M , HGI480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level41RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability28 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
