HGD650N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGD650N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGD650N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD650N15S даташит

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgd650n15s.pdf pdf_icon

HGD650N15S

HGD650N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 18 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 0.1. Size:900K  cn hunteck
 hgd650n15sl.pdf pdf_icon

HGD650N15S

HGD650N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 58 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching an

Другие IGBT... HGI230N10AL, HGD290N10SL, HGI290N10SL, HGD2K4N25ML, HGI2K4N25ML, HGD320N20S, HGD480N15M, HGI480N15M, IRF9540, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL