Справочник MOSFET. HGD650N15S

 

HGD650N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD650N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HGD650N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD650N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgd650n15s.pdf pdf_icon

HGD650N15S

HGD650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 0.1. Size:900K  cn hunteck
 hgd650n15sl.pdf pdf_icon

HGD650N15S

HGD650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an

Другие MOSFET... HGI230N10AL , HGD290N10SL , HGI290N10SL , HGD2K4N25ML , HGI2K4N25ML , HGD320N20S , HGD480N15M , HGI480N15M , K3569 , HGD650N15SL , HGD750N15M , HGD750N15ML , HGI750N15ML , HGI050N10AL , HGI080N08SL , HGD080N08SL , HGI090N06SL .

History: CJAC100SN08U | BUK964R2-55B | CHM50N06NGP | AON3402 | IRF3000PBF | CEP4060A

 

 
Back to Top

 


 
.