HGD090N06SL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGD090N06SL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGD090N06SL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGD090N06SL даташит
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf
HGD090NE6A , HGI090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 57 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit
hgd090ne6al hgi090ne6al.pdf
HGD090NE6AL , HGI090NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 58 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgd093n12sl.pdf
HGD093N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching, Logic Level 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 81 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
Другие IGBT... HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, HGI080N08SL, HGD080N08SL, HGI090N06SL, K3569, HGI120N10A, HGD120N10A, HGI120N10AL, HGD120N10AL, HGI130N12SL, HGD130N12SL, HGI200N10SL, HGD200N10SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx









