HGI130N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI130N12SL
Маркировка: GI130N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI130N12SL
HGI130N12SL Datasheet (PDF)
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD