HGI130N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGI130N12SL
Маркировка: GI130N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 222 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для HGI130N12SL
HGI130N12SL Datasheet (PDF)
..1. Size:1206K cn hunteck
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
