Справочник MOSFET. HGI130N12SL

 

HGI130N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGI130N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для HGI130N12SL

 

 

HGI130N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1206K  cn hunteck
 hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf

HGI130N12SL HGI130N12SL

HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top