HGI130N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGI130N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO-251
HGI130N12SL Datasheet (PDF)
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf

HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
Другие MOSFET... HGI080N08SL , HGD080N08SL , HGI090N06SL , HGD090N06SL , HGI120N10A , HGD120N10A , HGI120N10AL , HGD120N10AL , IRFB3607 , HGD130N12SL , HGI200N10SL , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL .
History: AP4453GYT | IXTK20N150
History: AP4453GYT | IXTK20N150



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124