HGM046NE6AL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGM046NE6AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGM046NE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM046NE6AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM046NE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm046ne6al.pdf pdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.1RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 69 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited)Application Drain Sy

 4.1. Size:1132K  cn hunteck
 hgm046ne6a.pdf pdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6AP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching 4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... HGD120N10AL , HGI130N12SL , HGD130N12SL , HGI200N10SL , HGD200N10SL , HGK026N15S , HGK030N06S , HGM046NE6A , IRLZ44N , HGM059N08AL , HGM079N06SL , HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL .

History: SL2302 | VBP18R15S | AUIRFS4610 | APM4927KC | SVGQ042R8NL5V-2HSTR | MTP3055V

 

 
Back to Top

 


 
.