HGM046NE6AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM046NE6AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM046NE6AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM046NE6AL даташит

 ..1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm046ne6al.pdf pdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.1 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 69 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited) Application Drain Sy

 4.1. Size:1132K  cn hunteck
 hgm046ne6a.pdf pdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие IGBT... HGD120N10AL, HGI130N12SL, HGD130N12SL, HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, AON6380, HGM059N08AL, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, HGM110N08A, HGM110N08AL