Справочник MOSFET. HGM046NE6AL

 

HGM046NE6AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM046NE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM046NE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  cn hunteck
hgm046ne6al.pdfpdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.1RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 69 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Pacakge Limited)Application Drain Sy

 4.1. Size:1132K  cn hunteck
hgm046ne6a.pdfpdf_icon

HGM046NE6AL

HGM046NE6AP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching 4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AFP2309A | 3N191 | RSS110N03TB | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.