Справочник MOSFET. HGM095NE4SL

 

HGM095NE4SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGM095NE4SL
   Маркировка: M095NE4L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для HGM095NE4SL

 

 

HGM095NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1142K  cn hunteck
 hgm095ne4sl.pdf

HGM095NE4SL HGM095NE4SL

HGM095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature 45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous

 9.1. Size:1174K  cn hunteck
 hgm090ne6a.pdf

HGM095NE4SL HGM095NE4SL

HGM090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 9.2. Size:1140K  cn hunteck
 hgm098n10al.pdf

HGM095NE4SL HGM095NE4SL

HGM098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 47.2 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchr

 9.3. Size:1314K  cn hunteck
 hgm090ne6al.pdf

HGM095NE4SL HGM095NE4SL

HGM090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 39 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronou

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top