Справочник MOSFET. HGM098N10AL

 

HGM098N10AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGM098N10AL
   Маркировка: M098N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для HGM098N10AL

 

 

HGM098N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  cn hunteck
 hgm098n10al.pdf

HGM098N10AL HGM098N10AL

HGM098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 47.2 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchr

 9.1. Size:1174K  cn hunteck
 hgm090ne6a.pdf

HGM098N10AL HGM098N10AL

HGM090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 9.2. Size:1314K  cn hunteck
 hgm090ne6al.pdf

HGM098N10AL HGM098N10AL

HGM090NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 39 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronou

 9.3. Size:1142K  cn hunteck
 hgm095ne4sl.pdf

HGM098N10AL HGM098N10AL

HGM095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature 45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top