HGM110N08A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGM110N08A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGM110N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM110N08A даташит

 ..1. Size:923K  cn hunteck
 hgm110n08a.pdf pdf_icon

HGM110N08A

HGM110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 34 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC i

 0.1. Size:901K  cn hunteck
 hgm110n08al.pdf pdf_icon

HGM110N08A

HGM110N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 34 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие IGBT... HGM046NE6A, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, HGM079N06SL, HGM090NE6A, HGM090NE6AL, HGM095NE4SL, HGM098N10AL, TK10A60D, HGM110N08AL, HGM120N06SL, HGM120N10AL, HGM170N10AL, HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, HGN012N03AL