Справочник MOSFET. HGM110N08A

 

HGM110N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM110N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 219 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM110N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM110N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:923K  cn hunteck
 hgm110n08a.pdf pdf_icon

HGM110N08A

HGM110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness34 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC i

 0.1. Size:901K  cn hunteck
 hgm110n08al.pdf pdf_icon

HGM110N08A

HGM110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness34 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие MOSFET... HGM046NE6A , HGM046NE6AL , HGM059N08AL , HGM079N06SL , HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , IRFZ24N , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL .

History: IRFJ240 | AM2302NE | TSM8N50CP | RSJ550N10 | 2SK2666 | BUK956R1-100E | HAT2085R

 

 
Back to Top

 


 
.