Справочник MOSFET. HGM120N10AL

 

HGM120N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM120N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM120N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM120N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm120n10al.pdf pdf_icon

HGM120N10AL

HGM120N10ALP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 36 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synch

 7.1. Size:1141K  cn hunteck
 hgm120n06sl.pdf pdf_icon

HGM120N10AL

HGM120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature 60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 33 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 26 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synchronous

Другие MOSFET... HGM079N06SL , HGM090NE6A , HGM090NE6AL , HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , 10N65 , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL .

History: IRFU3504Z | PMPB33XP | TSM2311CX | 2SK1382 | NCE70N900 | P3606BD | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.