Справочник MOSFET. HGM230N10AL

 

HGM230N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGM230N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для HGM230N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGM230N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn hunteck
 hgm230n10al.pdf pdf_icon

HGM230N10AL

HGM230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 20 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGM095NE4SL , HGM098N10AL , HGM110N08A , HGM110N08AL , HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , 5N65 , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL .

History: APM9936K | 2SK2411-Z | AP6A100M | HM1P15MR | 2SJ651 | AOD4T60P

 

 
Back to Top

 


 
.