Справочник MOSFET. HGM230N10AL

 

HGM230N10AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGM230N10AL
   Маркировка: M230N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для HGM230N10AL

 

 

HGM230N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn hunteck
 hgm230n10al.pdf

HGM230N10AL HGM230N10AL

HGM230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 20 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top