Справочник MOSFET. HGN021N06SL

 

HGN021N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN021N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN021N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN021N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  cn hunteck
 hgn021n06sl.pdf pdf_icon

HGN021N06SL

HGN021N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness172 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested85 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN021N06SL

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.2. Size:763K  cn hunteck
 hgn027n06s.pdf pdf_icon

HGN021N06SL

HGN027N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability152 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 9.3. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN021N06SL

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGM120N06SL , HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , IRFZ46N , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , HGN028N08A , HGN028NE6A , HGN028NE6AL .

History: UF830KL-TA3-T | SSF2316E | SVS20N60SD2TR

 

 
Back to Top

 


 
.