Справочник MOSFET. HGN022NE4SL

 

HGN022NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN022NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1829 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN022NE4SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN022NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  cn hunteck
 hgn022ne4sl.pdf pdf_icon

HGN022NE4SL

HGN022NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.85RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.35RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness169 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchrono

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN022NE4SL

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.2. Size:763K  cn hunteck
 hgn027n06s.pdf pdf_icon

HGN022NE4SL

HGN027N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability152 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 9.3. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN022NE4SL

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGM120N10AL , HGM170N10AL , HGM210N12SL , HGM230N10AL , HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , 7N60 , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , HGN028N08A , HGN028NE6A , HGN028NE6AL , HGN029NE4SL .

History: 2SK1454 | AP50T10GJ | STL7NM60N | WFW064N | 24NM60L-TF1-T | 2SK3652 | 2SK3835

 

 
Back to Top

 


 
.