HGN023NE6AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN023NE6AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1788 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN023NE6AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN023NE6AL даташит

 ..1. Size:1142K  cn hunteck
 hgn023ne6al.pdf pdf_icon

HGN023NE6AL

HGN023NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 2.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 164 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Sy

 4.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN023NE6AL

HGN023NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 162 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.1. Size:763K  cn hunteck
 hgn027n06s.pdf pdf_icon

HGN023NE6AL

HGN027N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching 2.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 152 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switch

 9.2. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN023NE6AL

HGN028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.4 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 130 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGM210N12SL, HGM230N10AL, HGM290N10SL, HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A, 20N50, HGN024N06SL, HGN027N06S, HGN028N08A, HGN028NE6A, HGN028NE6AL, HGN029NE4SL, HGN032NE4S, HGN035N08A