Справочник MOSFET. HGN028N08A

 

HGN028N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN028N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1003 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN028N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN028N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgn028n08a.pdf pdf_icon

HGN028N08A

HGN028N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching2.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability147 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 7.1. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN028N08A

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

 7.2. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6al.pdf pdf_icon

HGN028N08A

HGN028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness129 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchron

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN028N08A

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , IRF2807 , HGN028NE6A , HGN028NE6AL , HGN029NE4SL , HGN032NE4S , HGN035N08A , HGN035N08AL , HGN035N10A , HGN035N10AL .

History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA

 

 
Back to Top

 


 
.