HGN028N08A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN028N08A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1003 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN028N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN028N08A даташит

 ..1. Size:908K  cn hunteck
hgn028n08a.pdfpdf_icon

HGN028N08A

HGN028N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 147 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 7.1. Size:905K  cn hunteck
hgn028ne6a.pdfpdf_icon

HGN028N08A

HGN028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.4 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 130 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hi

 7.2. Size:905K  cn hunteck
hgn028ne6al.pdfpdf_icon

HGN028N08A

HGN028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 129 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchron

 9.1. Size:901K  cn hunteck
hgn023ne6a.pdfpdf_icon

HGN028N08A

HGN023NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 162 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

Другие IGBT... HGN012N03AL, HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A, HGN023NE6AL, HGN024N06SL, HGN027N06S, STF13NM60N, HGN028NE6A, HGN028NE6AL, HGN029NE4SL, HGN032NE4S, HGN035N08A, HGN035N08AL, HGN035N10A, HGN035N10AL