HGN028NE6A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGN028NE6A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1501 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для HGN028NE6A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGN028NE6A даташит
hgn028ne6a.pdf
HGN028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.4 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 130 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and Hi
hgn028ne6al.pdf
HGN028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 129 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchron
hgn028n08a.pdf
HGN028N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 147 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi
hgn023ne6a.pdf
HGN023NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 2.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 162 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi
Другие IGBT... HGN016N04BL, HGN021N06SL, HGN022NE4SL, HGN023NE6A, HGN023NE6AL, HGN024N06SL, HGN027N06S, HGN028N08A, IRFZ24N, HGN028NE6AL, HGN029NE4SL, HGN032NE4S, HGN035N08A, HGN035N08AL, HGN035N10A, HGN035N10AL, HGN036N08A
History: HGN029NE4SL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140










