Справочник MOSFET. HGN028NE6A

 

HGN028NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN028NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1501 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN028NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN028NE6A

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

 0.1. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6al.pdf pdf_icon

HGN028NE6A

HGN028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness129 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchron

 7.1. Size:908K  cn hunteck
 hgn028n08a.pdf pdf_icon

HGN028NE6A

HGN028N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching2.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability147 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN028NE6A

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.