HGN042N10S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN042N10S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1066 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN042N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN042N10S даташит

 ..1. Size:1155K  cn hunteck
 hgn042n10s.pdf pdf_icon

HGN042N10S

HGN042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET VDS Feature 100 V 3.7 RDS(on),typ mW Optimized for high speed smooth switching 112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching

 0.1. Size:1077K  cn hunteck
 hgn042n10sl.pdf pdf_icon

HGN042N10S

P-1 HGN042N10SL 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS 3.5 Optimized for high speed smooth switching,Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 116 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application

 5.1. Size:786K  cn hunteck
 hgn042n10al.pdf pdf_icon

HGN042N10S

HGN042N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 3.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth switching,Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 129 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application

 5.2. Size:777K  cn hunteck
 hgn042n10a.pdf pdf_icon

HGN042N10S

HGN042N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 3.7 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 128 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGN036N08A, HGN036N08AL, HGN036N08S, HGN036N08SL, HGN040N06S, HGN040N06SL, HGN042N10A, HGN042N10AL, AON7403, HGN042N10SL, HGN045NE4SL, HGN046NE6A, HGN046NE6AL, HGN050N10A, HGN050N10AL, HGN052N10SL, HGN053N06S