Справочник MOSFET. HGN080N08SL

 

HGN080N08SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN080N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN080N08SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN080N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:765K  cn hunteck
 hgn080n08sl.pdf pdf_icon

HGN080N08SL

HGN080N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V6.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronou

 7.1. Size:920K  cn hunteck
 hgn080n10sl.pdf pdf_icon

HGN080N08SL

HGN080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness74 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

 7.2. Size:893K  cn hunteck
 hgn080n10al.pdf pdf_icon

HGN080N08SL

HGN080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness74.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 7.3. Size:898K  cn hunteck
 hgn080n10a.pdf pdf_icon

HGN080N08SL

P-1HGN080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching6.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability76 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN055N12S , HGN055N12SL , HGN058N08SL , HGN059N08A , HGN059N08AL , HGN070N12S , HGN070N12SL , HGN077N10SL , 50N06 , HGN080N10A , HGN080N10AL , HGN080N10S , HGN080N10SL , HGN088N15S , HGN088N15SL , HGN090AE6AL , HGN090N06SL .

History: AP30P10GP-HF | NCE65NF190 | BUK9MTT-65PBB | TSM2NB60CI | CSL2803 | FQB2N80TM | SI4472DY

 

 
Back to Top

 


 
.