HGN088N15SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN088N15SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN088N15SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN088N15SL даташит

 ..1. Size:951K  cn hunteck
 hgn088n15sl.pdf pdf_icon

HGN088N15SL

HGN088N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 87 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

 4.1. Size:1189K  cn hunteck
 hgn088n15s.pdf pdf_icon

HGN088N15SL

HGN088N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 86 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Ha

 9.1. Size:920K  cn hunteck
 hgn080n10sl.pdf pdf_icon

HGN088N15SL

HGN080N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 74 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re

 9.2. Size:893K  cn hunteck
 hgn080n10al.pdf pdf_icon

HGN088N15SL

HGN080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 74.4 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGN070N12SL, HGN077N10SL, HGN080N08SL, HGN080N10A, HGN080N10AL, HGN080N10S, HGN080N10SL, HGN088N15S, IRFB4110, HGN090AE6AL, HGN090N06SL, HGN090NE6A, HGN090NE6AL, HGN093N12S, HGN093N12SL, HGN095NE4SL, HGN098N10A