Справочник MOSFET. HGN090AE6AL

 

HGN090AE6AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN090AE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 518 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN090AE6AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN090AE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1112K  cn hunteck
hgn090ae6al.pdfpdf_icon

HGN090AE6AL

HGN090AE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Drain1 Drain2 Application

 8.1. Size:764K  cn hunteck
hgn090n06sl.pdfpdf_icon

HGN090AE6AL

HGN090N06SLP-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness62 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 8.2. Size:1316K  cn hunteck
hgn090ne6al.pdfpdf_icon

HGN090AE6AL

HGN090NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 55 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Drain Syn

 8.3. Size:932K  cn hunteck
hgn090ne6a.pdfpdf_icon

HGN090AE6AL

HGN090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness54 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig

Другие MOSFET... HGN077N10SL , HGN080N08SL , HGN080N10A , HGN080N10AL , HGN080N10S , HGN080N10SL , HGN088N15S , HGN088N15SL , IRF630 , HGN090N06SL , HGN090NE6A , HGN090NE6AL , HGN093N12S , HGN093N12SL , HGN095NE4SL , HGN098N10A , HGN098N10AL .

History: 2SK2162 | VBA1310S

 

 
Back to Top

 


 
.