HGN090AE6AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGN090AE6AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 518 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HGN090AE6AL Datasheet (PDF)
hgn090ae6al.pdf

HGN090AE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Drain1 Drain2 Application
hgn090n06sl.pdf

HGN090N06SLP-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness62 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous
hgn090ne6al.pdf

HGN090NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 55 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Drain Syn
hgn090ne6a.pdf

HGN090NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness54 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hig
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: VBM1806 | MTC3588BDFA6 | 2SK3572-Z | KNY3703A | MCU01N80 | IRFZ46ZS | NTD20P06L-1G
History: VBM1806 | MTC3588BDFA6 | 2SK3572-Z | KNY3703A | MCU01N80 | IRFZ46ZS | NTD20P06L-1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147