HGN095NE4SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN095NE4SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN095NE4SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN095NE4SL даташит

 ..1. Size:762K  cn hunteck
hgn095ne4sl.pdfpdf_icon

HGN095NE4SL

HGN095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.7 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 52 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

 9.1. Size:893K  cn hunteck
hgn098n10a.pdfpdf_icon

HGN095NE4SL

HGN098N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 8.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 63 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and H

 9.2. Size:902K  cn hunteck
hgn093n12sl.pdfpdf_icon

HGN095NE4SL

HGN093N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 71 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re

 9.3. Size:1175K  cn hunteck
hgn098n10al.pdfpdf_icon

HGN095NE4SL

HGN098N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 62.8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 45 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited) Application Synch

Другие IGBT... HGN088N15S, HGN088N15SL, HGN090AE6AL, HGN090N06SL, HGN090NE6A, HGN090NE6AL, HGN093N12S, HGN093N12SL, AON6414A, HGN098N10A, HGN098N10AL, HGN098N10SL, HGN099N15S, HGN100N12S, HGN100N12SL, HGN110N08A, HGN110N08AL