HGN098N10A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGN098N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGN098N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN098N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN098N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  cn hunteck
 hgn098n10a.pdf pdf_icon

HGN098N10A

HGN098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching8.3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability63 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and H

 0.1. Size:1175K  cn hunteck
 hgn098n10al.pdf pdf_icon

HGN098N10A

HGN098N10ALP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 62.8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 45 A Lead Free, Halogen Free ID (Package Limited)Application Synch

 5.1. Size:897K  cn hunteck
 hgn098n10sl.pdf pdf_icon

HGN098N10A

HGN098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness63 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous R

 9.1. Size:902K  cn hunteck
 hgn093n12sl.pdf pdf_icon

HGN098N10A

HGN093N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness71 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN088N15SL , HGN090AE6AL , HGN090N06SL , HGN090NE6A , HGN090NE6AL , HGN093N12S , HGN093N12SL , HGN095NE4SL , AON6414A , HGN098N10AL , HGN098N10SL , HGN099N15S , HGN100N12S , HGN100N12SL , HGN110N08A , HGN110N08AL , HGN110N10SL .

History: HGN099N15S | IPI60R385CP

 

 
Back to Top

 


 
.