HGN170N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN170N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN170N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN170N10AL даташит

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hgn170n10al.pdf pdf_icon

HGN170N10AL

P-1 HGN170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 44 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

 8.1. Size:922K  cn hunteck
 hgn170a10al.pdf pdf_icon

HGN170N10AL

HGN170A10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 34.8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re

Другие IGBT... HGN119N15S, HGN120N06SL, HGN120N10A, HGN120N10AL, HGN130N12S, HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, SPP20N60C3, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S