Справочник MOSFET. HGN170N10AL

 

HGN170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN170N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hgn170n10al.pdf pdf_icon

HGN170N10AL

P-1HGN170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness44 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rec

 8.1. Size:922K  cn hunteck
 hgn170a10al.pdf pdf_icon

HGN170N10AL

HGN170A10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability22RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness34.8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested28 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Re

Другие MOSFET... HGN119N15S , HGN120N06SL , HGN120N10A , HGN120N10AL , HGN130N12S , HGN130N12SL , HGN155N15S , HGN170A10AL , AON7410 , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S .

History: NTB18N06G | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.