HGN210N12SL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGN210N12SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGN210N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN210N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN210N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cn hunteck
 hgn210n12sl.pdf pdf_icon

HGN210N12SL

HGN210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rect

Другие MOSFET... HGN130N12SL , HGN155N15S , HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , 4N60 , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , HGN640N25S .

History: NTMFS4833NA | HSBB2627

 

 
Back to Top

 


 
.