HGN210N12SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN210N12SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN210N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN210N12SL даташит

 ..1. Size:896K  cn hunteck
 hgn210n12sl.pdf pdf_icon

HGN210N12SL

HGN210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 37 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rect

Другие IGBT... HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, 12N60, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S