Справочник MOSFET. SP07N65

 

SP07N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP07N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.68 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SP07N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP07N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  samhop
 sp07n65.pdf pdf_icon

SP07N65

GreenProductSP07N65aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.650V 1A 1.68 @ VGS=10VSuface Mount Package.PIN 1 5 6 7 8DFN 5x6 1 2 3 4(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSy

Другие MOSFET... FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , SP2013 , 60N06 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , SDU06N60 , FDS9400A , FDS9431A .

 

 
Back to Top

 


 
.