SP07N65 - описание и поиск аналогов

 

SP07N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP07N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.68 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SP07N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP07N65 даташит

 ..1. Size:100K  samhop
 sp07n65.pdf pdf_icon

SP07N65

Green Product SP07N65 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 650V 1A 1.68 @ VGS=10V Suface Mount Package. PIN 1 5 6 7 8 DFN 5x6 1 2 3 4 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sy

Другие MOSFET... FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , SP2013 , IRLB3034 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , SDU06N60 , FDS9400A , FDS9431A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.