HGP080N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

HGP080N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGP080N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 573 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP080N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP080N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:944K  cn hunteck
 hgp080n10s.pdf pdf_icon

HGP080N10S

HGP080N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms

 0.1. Size:1002K  cn hunteck
 hgp080n10sl.pdf pdf_icon

HGP080N10S

HGP080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 5.1. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGP080N10S

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.1RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free85 AID (Sillico

 5.2. Size:915K  cn hunteck
 hgb080n10a hgp080n10a.pdf pdf_icon

HGP080N10S

, P-1HGB080N10AHGP080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness84.3 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL , HGP070N12SL , 5N65 , HGP080N10SL , HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , HGP1K2N25ML .

History: PMPB10UP

 

 
Back to Top

 


 
.