HGP080N10S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP080N10S
Маркировка: GP080N10S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 82 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 573 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP080N10S
HGP080N10S Datasheet (PDF)
hgp080n10s.pdf
HGP080N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms
hgp080n10sl.pdf
HGP080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgb080n10al hgp080n10al.pdf
HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.1RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free85 AID (Sillico
hgb080n10a hgp080n10a.pdf
, P-1HGB080N10AHGP080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness84.3 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: JCS80N10I
