HGP1K2N20ML datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP1K2N20ML  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HGP1K2N20ML

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP1K2N20ML даташит

 ..1. Size:832K  cn hunteck
 hgp1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N20ML

HGP1K2N20ML P-1 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 95 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 106 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Sp

 6.1. Size:823K  cn hunteck
 hgp1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N20ML

HGP1K2N25ML P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 87 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 93 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 25 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

Другие IGBT... HGP070N12SL, HGP080N10S, HGP080N10SL, HGP098N10S, HGP100N12SL, HGP130N12SL, HGP190N15SL, HGP195N15SL, 20N50, HGP1K2N25ML, HGP230N10A, HGP2K4N25ML, HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL