HGP230N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP230N10A
Маркировка: GP230N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 107 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP230N10A
HGP230N10A Datasheet (PDF)
..1. Size:912K cn hunteck
hgp230n10a.pdf
hgp230n10a.pdf
P-1HGP230N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching22RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability31 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-220 Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain UPSPin2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
