Справочник MOSFET. HGP230N10A

 

HGP230N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGP230N10A
   Маркировка: GP230N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP230N10A

 

 

HGP230N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  cn hunteck
 hgp230n10a.pdf

HGP230N10A HGP230N10A

P-1HGP230N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching22RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability31 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSTO-220 Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDrain UPSPin2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top