HGP2K4N25ML datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGP2K4N25ML  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HGP2K4N25ML

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP2K4N25ML даташит

 ..1. Size:814K  cn hunteck
 hgp2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGP2K4N25ML

HGP2K4N25ML P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 180 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 190 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 13 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

Другие IGBT... HGP098N10S, HGP100N12SL, HGP130N12SL, HGP190N15SL, HGP195N15SL, HGP1K2N20ML, HGP1K2N25ML, HGP230N10A, STF13NM60N, HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL