Справочник MOSFET. HGP2K4N25ML

 

HGP2K4N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP2K4N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP2K4N25ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP2K4N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  cn hunteck
 hgp2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGP2K4N25ML

HGP2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

Другие MOSFET... HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , HGP1K2N25ML , HGP230N10A , IRF2807 , HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL .

History: CS18N50V | SE3060D | BUK9Y38-100E

 

 
Back to Top

 


 
.