HGS085N10SL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGS085N10SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGS085N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS085N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS085N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS085N10SL

HGS085N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 7.1. Size:927K  cn hunteck
 hgs085ne6al.pdf pdf_icon

HGS085N10SL

HGS085NE6AL P-170V N-Ch Power MOSFETFeature70 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationSOIC-8 Synchronous Rectification in SMPSDrain

 9.1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS085N10SL

HGS080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 9.2. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS085N10SL

HGS080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL , HGS063N08SL , HGS080N10AL , HGS080N10SL , STP65NF06 , HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL .

History: R6547ENZ1 | NTD20N06-001 | RU2H30S | AP30T10GS-HF | SFF44N50S2 | LNH05R155

 

 
Back to Top

 


 
.