HGS089N08SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS089N08SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS089N08SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS089N08SL даташит

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgs089n08sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS089N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 9.1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS080N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 9.2. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14.4 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.3. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS085N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, IRLB3034, HGS090N06SL, HGS090NE6A, HGS090NE6AL, HGS092NE6AL, HGS095NE4SL, HGS098N06SL, HGS098N10A, HGS098N10AL