HGS089N08SL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGS089N08SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGS089N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS089N08SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS089N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hunteck
 hgs089n08sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS089N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 9.1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 9.2. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.3. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS089N08SL

HGS085N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL , HGS063N08SL , HGS080N10AL , HGS080N10SL , HGS085N10SL , HGS085NE6AL , EMB04N03H , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , HGS098N10A , HGS098N10AL .

History: MPSA70M290 | HGS090NE6A | AFN3030 | IPP100N08S2-07 | PMN120ENEA | FQB2P40TM

 

 
Back to Top

 


 
.