HGS090NE6A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS090NE6A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS090NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS090NE6A даташит

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs090ne6a.pdf pdf_icon

HGS090NE6A

HGS090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8

 0.1. Size:919K  cn hunteck
 hgs090ne6al.pdf pdf_icon

HGS090NE6A

 7.1. Size:817K  cn hunteck
 hgs090n06sl.pdf pdf_icon

HGS090NE6A

 9.1. Size:912K  cn hunteck
 hgs098n10a.pdf pdf_icon

HGS090NE6A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL, HGS090N06SL, IRFB7545, HGS090NE6AL, HGS092NE6AL, HGS095NE4SL, HGS098N06SL, HGS098N10A, HGS098N10AL, HGS098N10SL, HGS110N08A