HGS120N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGS120N10SL
Маркировка: GS120N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 162 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS120N10SL
HGS120N10SL Datasheet (PDF)
hgs120n10sl.pdf
HGS120N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgs120n10al.pdf
HGS120N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchr
hgs120n06sl.pdf
HGS120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and H
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
