Справочник MOSFET. HGS170N10AL

 

HGS170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS170N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hgs170n10al.pdf pdf_icon

HGS170N10AL

HGS170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

Другие MOSFET... HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , IRF740 , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S .

History: FTK7002D | IRFU2607ZPBF | AOWF25S65 | STW32N65M5 | TSA50N20MK | MTW6N60E | AOUS66414

 

 
Back to Top

 


 
.