Справочник MOSFET. HGS170N10AL

 

HGS170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS170N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS170N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hgs170n10al.pdf pdf_icon

HGS170N10AL

HGS170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ST10E4 | HTJ450N02 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | 2N6966JANTX

 

 
Back to Top

 


 
.