HGS170N10AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGS170N10AL
Маркировка: GS170N10AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
HGS170N10AL Datasheet (PDF)
hgs170n10al.pdf

HGS170N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 14RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness10 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an
Другие MOSFET... HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , IRF740 , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312