HGS170N10AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS170N10AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS170N10AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS170N10AL даташит

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hgs170n10al.pdf pdf_icon

HGS170N10AL

HGS170N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 10 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

Другие IGBT... HGS098N10AL, HGS098N10SL, HGS110N08A, HGS110N08AL, HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, IRF740, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S