Справочник MOSFET. HGS195N15SL

 

HGS195N15SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS195N15SL
   Маркировка: GS195N15SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS195N15SL

 

 

HGS195N15SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  cn hunteck
 hgs195n15sl.pdf

HGS195N15SL HGS195N15SL

HGS195N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top