HGS195N15SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS195N15SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS195N15SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS195N15SL даташит

 ..1. Size:1009K  cn hunteck
 hgs195n15sl.pdf pdf_icon

HGS195N15SL

HGS195N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGS098N10SL, HGS110N08A, HGS110N08AL, HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, IRF840, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL