HGS220N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS220N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS220N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS220N10SL даташит

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgs220n10sl.pdf pdf_icon

HGS220N10SL

HGS220N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level. 16.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

Другие IGBT... HGS110N08AL, HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, IRF540N, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML