Справочник MOSFET. HGS220N10SL

 

HGS220N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS220N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS220N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS220N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgs220n10sl.pdf pdf_icon

HGS220N10SL

HGS220N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level.16.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

Другие MOSFET... HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , IRF540 , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML .

History: MTM60N05 | MTP5N40E | CEP6086 | IRLR3114ZPBF | ZXMS6006SGQ | 2SK2553 | SI1307EDL

 

 
Back to Top

 


 
.