Справочник MOSFET. HGS650N15S

 

HGS650N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS650N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS650N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS650N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgs650n15s.pdf pdf_icon

HGS650N15S

HGS650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8G

 0.1. Size:904K  cn hunteck
 hgs650n15sl.pdf pdf_icon

HGS650N15S

HGS650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , IRFP460 , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A .

History: AP2864I-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.