Справочник MOSFET. HGS650N15S

 

HGS650N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS650N15S
   Маркировка: GS650N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 44 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS650N15S

 

 

HGS650N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgs650n15s.pdf

HGS650N15S HGS650N15S

HGS650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8G

 0.1. Size:904K  cn hunteck
 hgs650n15sl.pdf

HGS650N15S HGS650N15S

HGS650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top