HGS650N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS650N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS650N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS650N15S даташит

 ..1. Size:900K  cn hunteck
 hgs650n15s.pdf pdf_icon

HGS650N15S

HGS650N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 58.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 G

 0.1. Size:904K  cn hunteck
 hgs650n15sl.pdf pdf_icon

HGS650N15S

HGS650N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 58.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 66.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, IRF640, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A