Справочник MOSFET. HGS750N15M

 

HGS750N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS750N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS750N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS750N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hgs750n15m.pdf pdf_icon

HGS750N15M

HGS750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.6 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsSOIC-8Gate UPS

 0.1. Size:906K  cn hunteck
 hgs750n15ml.pdf pdf_icon

HGS750N15M

HGS750N15ML P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability70RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

Другие MOSFET... HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , IRFP260N , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A .

History: ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | PK5G6EA | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D

 

 
Back to Top

 


 
.