HGS750N15M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGS750N15M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS750N15M
HGS750N15M Datasheet (PDF)
hgs750n15m.pdf
HGS750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.6 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsSOIC-8Gate UPS
hgs750n15ml.pdf
HGS750N15ML P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability70RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness4.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed
Другие MOSFET... HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , IRLZ44N , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A .
History: HGS750N15ML
History: HGS750N15ML
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383



