HGS750N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS750N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS750N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS750N15M даташит

 ..1. Size:905K  cn hunteck
 hgs750n15m.pdf pdf_icon

HGS750N15M

 0.1. Size:906K  cn hunteck
 hgs750n15ml.pdf pdf_icon

HGS750N15M

HGS750N15ML P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, logic level 63 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 70 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 4.6 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

Другие IGBT... HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, IRLZ44N, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A