HGT022N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGT022N12S  📄📄 

Маркировка: GT022N12S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 341 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1347 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для HGT022N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT022N12S даташит

 ..1. Size:984K  cn hunteck
 hgt022n12s.pdf pdf_icon

HGT022N12S

HGT022N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 341 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/D

 9.1. Size:1221K  cn hunteck
 hgt025n10a.pdf pdf_icon

HGT022N12S

HGT025N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 1.97 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

Другие IGBT... HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, 10N60, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL