Справочник MOSFET. HGT022N12S

 

HGT022N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT022N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 341 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1347 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для HGT022N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT022N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:984K  cn hunteck
 hgt022n12s.pdf pdf_icon

HGT022N12S

HGT022N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness341 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/D

 9.1. Size:1221K  cn hunteck
 hgt025n10a.pdf pdf_icon

HGT022N12S

HGT025N10AP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching 1.97RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

Другие MOSFET... HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , IRFB4227 , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S , HGT055N15S , HGW053N06SL , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL .

History: 25N06G | FJ350301

 

 
Back to Top

 


 
.