HGT035N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGT035N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 203 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 716 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для HGT035N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT035N12S даташит

 ..1. Size:989K  cn hunteck
 hgt035n12s.pdf pdf_icon

HGT035N12S

P-1 HGT035N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 3.3 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 203 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Power Tool

Другие IGBT... HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A, IRFB4115, HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S, HGW100N12SL