Справочник MOSFET. HGT035N12S

 

HGT035N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT035N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 203 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 716 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для HGT035N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT035N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  cn hunteck
 hgt035n12s.pdf pdf_icon

HGT035N12S

P-1HGT035N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.3RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness203 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain Power Tool

Другие MOSFET... HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , IRFP250N , HGT041N15S , HGT055N15S , HGW053N06SL , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL .

History: RJK4532DPD | H7N1009MD90TZ | DMN66D0LDW | IPW60R199CP | IXFH102N15T | FTK10N65DD

 

 
Back to Top

 


 
.