HGT055N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGT055N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для HGT055N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT055N15S даташит

 ..1. Size:1051K  cn hunteck
 hgt055n15s.pdf pdf_icon

HGT055N15S

HGT055N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TOLL 4.8 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability 168 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain

Другие IGBT... HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S, P55NF06, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL