Справочник MOSFET. HGT055N15S

 

HGT055N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT055N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT055N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  cn hunteck
 hgt055n15s.pdf pdf_icon

HGT055N15S

HGT055N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TOLL 4.8RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability 168 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGB058N08SL | STM8300 | SI1402DH | IRFM9240 | APT10050LVFR | IRFP150FI | RQ3E130MN

 

 
Back to Top

 


 
.