Справочник MOSFET. HGT055N15S

 

HGT055N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT055N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для HGT055N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT055N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  cn hunteck
 hgt055n15s.pdf pdf_icon

HGT055N15S

HGT055N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TOLL 4.8RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability 168 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain

Другие MOSFET... HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S , IRFB4115 , HGW053N06SL , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL .

History: BUK7Y12-55B | IXTK34N80 | 2SK2778

 

 
Back to Top

 


 
.