Справочник MOSFET. HGW053N06SL

 

HGW053N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGW053N06SL
   Маркировка: GW053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 105 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 793 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для HGW053N06SL

 

 

HGW053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  cn hunteck
hgw053n06sl.pdf

HGW053N06SL
HGW053N06SL

HGW053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.1. Size:805K  cn hunteck
hgw059n12sl.pdf

HGW053N06SL
HGW053N06SL

HGW059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 9.2. Size:803K  cn hunteck
hgw059n12s.pdf

HGW053N06SL
HGW053N06SL

HGW059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness113 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

 9.3. Size:786K  cn hunteck
hgw055n10sl.pdf

HGW053N06SL
HGW053N06SL

HGW055N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature4.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 153 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top