Справочник MOSFET. HGW053N06SL

 

HGW053N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGW053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для HGW053N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  cn hunteck
hgw053n06sl.pdfpdf_icon

HGW053N06SL

HGW053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.1. Size:805K  cn hunteck
hgw059n12sl.pdfpdf_icon

HGW053N06SL

HGW059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 9.2. Size:803K  cn hunteck
hgw059n12s.pdfpdf_icon

HGW053N06SL

HGW059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness113 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

 9.3. Size:786K  cn hunteck
hgw055n10sl.pdfpdf_icon

HGW053N06SL

HGW055N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature4.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 153 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion D

Другие MOSFET... HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S , HGT055N15S , 2SK3878 , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL , HGW130N12S .

History: MEE2348-G | STD100N03LT4 | STW75N60M6 | IXTK120N25P | SSM6P15FU | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.