Справочник MOSFET. HGW059N12S

 

HGW059N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGW059N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для HGW059N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW059N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  cn hunteck
hgw059n12s.pdfpdf_icon

HGW059N12S

HGW059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness113 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

 0.1. Size:805K  cn hunteck
hgw059n12sl.pdfpdf_icon

HGW059N12S

HGW059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 9.1. Size:773K  cn hunteck
hgw053n06sl.pdfpdf_icon

HGW059N12S

HGW053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.2. Size:786K  cn hunteck
hgw055n10sl.pdfpdf_icon

HGW059N12S

HGW055N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature4.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 153 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion D

Другие MOSFET... HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S , HGT055N15S , HGW053N06SL , HGW055N10SL , AON7408 , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL , HGW130N12S , HGW190N15S , HGW190N15SL .

History: STF9NK90Z | SPD02N80C3 | VBE2338 | RZR020P01 | STF9NM60N | BSP225

 

 
Back to Top

 


 
.