Справочник MOSFET. HGW100N12SL

 

HGW100N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGW100N12SL
   Маркировка: GW100N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 109 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 66 nC
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 242 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для HGW100N12SL

 

 

HGW100N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  cn hunteck
 hgw100n12sl.pdf

HGW100N12SL HGW100N12SL

HGW100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness109 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 4.1. Size:780K  cn hunteck
 hgw100n12s.pdf

HGW100N12SL HGW100N12SL

HGW100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-262 8.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability109 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2TO-262

 9.1. Size:804K  cn hunteck
 hgw105n15m.pdf

HGW100N12SL HGW100N12SL

HGW105N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-262 8.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2

 9.2. Size:808K  cn hunteck
 hgw105n15sl.pdf

HGW100N12SL HGW100N12SL

HGW105N15SLP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability9ID (Sillicon Limited) m Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top