HGW105N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGW105N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для HGW105N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW105N15M даташит

 ..1. Size:804K  cn hunteck
 hgw105n15m.pdf pdf_icon

HGW105N15M

HGW105N15M P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-262 8.8 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 120 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2

 5.1. Size:808K  cn hunteck
 hgw105n15sl.pdf pdf_icon

HGW105N15M

HGW105N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 9 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 9 ID (Sillicon Limited) m Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification

 9.1. Size:787K  cn hunteck
 hgw100n12sl.pdf pdf_icon

HGW105N15M

HGW100N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 109 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

 9.2. Size:780K  cn hunteck
 hgw100n12s.pdf pdf_icon

HGW105N15M

HGW100N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-262 8.6 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 109 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 TO-262

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S, HGW100N12SL, 2SK3878, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03