HGW130N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGW130N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для HGW130N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW130N12S даташит

 ..1. Size:931K  cn hunteck
 hgw130n12s.pdf pdf_icon

HGW130N12S

P-1 HGW130N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 10 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 73.8 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

Другие IGBT... HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, 2N7002, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03