HGW130N12S - аналоги и даташиты транзистора

 

HGW130N12S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGW130N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для HGW130N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGW130N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  cn hunteck
 hgw130n12s.pdf pdf_icon

HGW130N12S

P-1HGW130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability73.8 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swit

Другие MOSFET... HGW053N06SL , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL , K3569 , HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 .

History: HGW190N15SL | IPI100N04S4-H2 | IPI65R600C6 | IPI100N08N3G | AFN2324 | AFN2318 | AFN2330

 

 
Back to Top

 


 
.